





光电式传感器的感光元件是采用光电效应,而光电效应又分为外光电效应和内光电效应(分为光电导效应和光生伏应)。
1、内光电效应:
(1)光电导效应:当入射光子射入到半导体表面时,光合有效辐射传感器-ml-020p公司,半导体吸收入射光子产生电子空穴对,使其自身电导增大。
(2)光生伏应:当一定波长的光照射非均匀半导体(如pn结),在自建场的作用下,半导体内部产生光电压。
光照射到半导体或绝缘体的表面时,使物体内部的受束缚电子受到激发,从而使物体的导电性能改变。这就称为内光电效应。显然照射的辐射通量愈大,则被激发的电子数愈多,该物体的电阻值就变得愈小。

光合有效辐射表主要用于测400~700nm波长范围内的自然光的光合有效辐射,光合有效辐射表具有使用简单,光合有效辐射表可在全天候条件下使用等特点。光合有效辐射表表体由铸铜加工而成,表面静电喷塑,防腐蚀能力极强。半球形石英玻璃罩则是采用冷加工磨制而成,厚度为1.5±0.1mm,同心度偏差不超过0.05mm,光谱范围0.4~0.7μm,透过率均在90%以上。光合有效辐射表在机体各部连接处均装有o型橡皮圈,机内装有干燥剂。
光合有效辐射可用仪器直接测定。例如采用光电感应原理,通过装有---光电感应元件的光合有效辐射传感器进行测量。当有光照时,利用投光器将光线由透镜---,经传输而至受光器透镜,再至接收感应器,感应器将收到的光线讯号转变成电信号后传输给平台,可以有效测量环境中的光合有效辐射量。也可以通过太阳直接辐射对光合有效辐射进行估算。为取得太阳直接辐射和散射辐射与光合有效辐射之间的比例系数,可以将日射仪或天空辐射表和光合有效辐射仪进行同步观测,计算出日、月、季和年的系数值及其相互关系,苏联χ.莫尔达乌等人就研究了太阳直接辐射(s)和漫射辐射(d)与光合有效辐射(qp)的定量关系,列出了计算式并---在中高纬度4~9月中午太阳高度不低于20°时,该式对光合有效辐射日总量或月总量的计算误差不超过 5%。其计算式为:qp=0.43s+0.57d。
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