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紫外探测技术向成像阵列方向发展

紫外增强si光电探测器具有技术成熟、紫外波段响应度较高的优点，太阳时数紫外测量系统jd57a/w，但是需要复杂的滤光结构，甚至难以实现。第三代半导体紫外传感器方面，基于新型宽禁带半导体材料（如: gan、sic）的紫外感光芯片具有显着的潜在应用优势，是各主要研发的重点。

氧化，金刚石，氮化硼等宽禁带材料成熟度相对低，禁带宽度偏大。gan基半导体是制备蓝光及白光发光二极管和新一代电力电子器件的骨干材料；同时，gan基半导体还是制备紫外传感器的优选材料。近年来半导体照明产业的高速发展，太阳时数紫外测量系统jd57a/w价格，为gan基紫外传感器的产业化打下了---的产业链基础。

紫外探测技术快速向“成像阵列” 发展

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